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SI4456DY-T1-E3中文资料

SI4456DY-T1-E3图片

SI4456DY-T1-E3外观图

  • 大小:173KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
  • 数据列表:SI4456DY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.8 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:122nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5670pF @ 20V
  • 功率 - 最大:7.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4456DY-T1-E3TR

SI4456DY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-18 09:18:55
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